حافظه ZAM اینتل اخیراً توجه زیادی جلب کرده و تیم آبی بهطور غیرمنتظرهای نمونه اولیه این فناوری را معرفی کرده و ادعاهای امیدوارکنندهای مطرح نموده است.
با اینکه تیم آبی طی چند دهه گذشته از کسبوکار DRAM دور بوده است، این شرکت اخیراً وارد حوزهای تازه با همکاری زیرمجموعه SoftBank به نام Saimemory شده و راهحلی به نام Z-Angle Memory (ZAM) معرفی کرده تا انحصار HBM را بشکند. اینتل اکنون نمونه اولیه آن را به جهانیان نشان داده است. رسانه ژاپنی PCWatch گزارش داد که اولین معرفی رسمی ZAM در رویداد Intel Connection Japan 2026 صورت گرفت. تمرکز اصلی بر این بود که معماری Z-Angle چگونه میتواند محدودیتهای عملکرد و حرارتی راهکارهای موجود را کاهش دهد.
تا پیش از این، ZAM محدود به مقالات تحقیقاتی و اطلاعیههای خبری بود؛ اما اینتل به سرعت نمونه اولیه و عملکرد آینده ZAM را نشان داد. ویژگی شاخص این راهکار حافظه، ادغام توپولوژی اتصال غیرمتقارن (staggered interconnect topology) است که اتصالات را بهصورت مورب در داخل پشته دایها هدایت میکند، نه اینکه بهصورت عمودی عبور دهند. اینتل اعلام کرده بزرگترین مزیت ZAM، قابلیتهای حرارتی آن است.
در حال حاضر، نقش دقیق اینتل در پروژه ZAM مشخص نیست، اما طبق مطالب بازاریابی ارائهشده در رویداد، این شرکت مسئول «سرمایهگذاری اولیه و تصمیمگیریهای استراتژیک» خواهد بود. چندین ادعا درباره عملکرد حافظه Z-Angle نسبت به HBM وجود دارد، اما در بحثهای اولیه، دستاوردهای احتمالی شامل موارد زیر است:
- کاهش مصرف انرژی ۴۰ تا ۵۰ درصد
- سادهتر شدن فرآیند تولید از طریق اتصالات Z-Angle
- افزایش ظرفیت ذخیرهسازی هر تراشه (تا ۵۱۲ گیگابایت)
جالب است که شاهد ورود احتمالی اینتل به بازار جدیدی هستیم. با توجه به حضور مدیران ارشد در رونمایی پروژه، به نظر میرسد این پروژه حافظهمحور قصد دارد در بازار HBM رقابت کند.
